FQB8N90CTM
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onsemi FQB8N90CTM
| Artikelnummer: | FQB8N90CTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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onsemi FQB8N90CTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQB8N90CTM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Verlustleistung (max) 171W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Tc) Grundproduktnummer FQB8N90 FQB8N90CTM Einzelheiten PDF [English] FQB8N90CTM PDF - EN.pdf -
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